本發(fā)明公開(kāi)了一種模塊內(nèi)并聯(lián)器件峰值芯片溫度的無(wú)損測(cè)試方法，該方法通過(guò)構(gòu)建特定測(cè)試電流下的基于電流占比的溫度?導(dǎo)通壓降曲線(xiàn)簇，實(shí)現(xiàn)對(duì)并聯(lián)器件或模塊的峰值結(jié)溫測(cè)量。獲得校溫電流?溫度?導(dǎo)通壓降三維數(shù)據(jù)庫(kù)，根據(jù)測(cè)試電流與并聯(lián)器件數(shù)量，利用電流轉(zhuǎn)換公式，得到特定測(cè)試電流下的基于電流占比的溫度?導(dǎo)通壓降曲線(xiàn)簇；利用曲線(xiàn)簇和測(cè)量得到器件工作狀態(tài)測(cè)試小電流對(duì)應(yīng)的導(dǎo)通壓降，得出不同測(cè)試電流下的電流占比?溫度曲線(xiàn)；最后，根據(jù)不同測(cè)試電流下電流占比?溫度曲線(xiàn)交點(diǎn)，確定并聯(lián)器件或模塊的峰值結(jié)溫和電流占比。利用該方法，可在成熟小電流壓降法的基礎(chǔ)上，無(wú)需增加額外設(shè)備，即可實(shí)現(xiàn)模塊內(nèi)并聯(lián)器件峰值芯片溫度的無(wú)損測(cè)量。