本發(fā)明公開了一種監(jiān)測晶片生長薄膜特性的裝置及其用途,屬于
半導體材料無損檢測領域。該裝置包括第一激光光源、第二激光光源、第一二相色鏡、分束鏡、第二二相色鏡、第一探測器、第二探測器、位置探測器、腔室、狹縫窗口、樣品托盤和轉軸。該裝置及其用途能夠集成實現(xiàn)待測晶片反射率、溫度和應力三個特性參數(shù)集成監(jiān)測。
聲明:
“監(jiān)測晶片生長薄膜特性的裝置及其用途” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)