本發(fā)明公開了一種碲鎘汞紅外焦平面探測器的失效分析方法。先將碲鎘汞紅外焦平面探測器中的碲鎘汞紅外光敏
芯片與讀出電路用切割的方式進行分離,通過寶石電極基板對碲鎘汞紅外光敏芯片進行電流電壓測試;保護不需要觀測的結構,對碲鎘汞紅外焦平面探測器的襯底去除后露出碲鎘汞表面,用配制的腐蝕液逐層腐蝕碲鎘汞,觀察碲鎘汞結區(qū)、鈍化層及倒焊等界面,與焦平面測試結果和電流電壓測試結果進行對比,獲取器件失效的工藝原因。采用該方法可以對成型后的碲鎘汞紅外焦平面探測器的性能失效進行逆向工藝分析,對碲鎘汞進行逐層腐蝕逐層觀測,定位失效的工藝原因,從而改進工藝,進一步提高器件的成品率。
聲明:
“碲鎘汞紅外焦平面探測器的失效分析方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)