本發(fā)明提供了一種半導(dǎo)體晶圓制造晶體管柵極硅氧化層失效的綜合分析方法,所述綜合分析方法包括:(Ⅰ)采用電測(cè)量分析方法對(duì)存在柵極硅氧化層失效的樣品進(jìn)行失效定位;(Ⅱ)采用化學(xué)分析方法對(duì)樣品進(jìn)行失效機(jī)理模型判斷,判斷確定柵極硅氧化層的失效原因是雜質(zhì)污染,還是等離子體誘導(dǎo)損傷;(Ⅲ)如果失效機(jī)理模型是雜質(zhì)污染,則采用飛行時(shí)間二次離子質(zhì)譜對(duì)有柵極硅氧化層失效的樣品進(jìn)行污染元素定性探查;隨后通過動(dòng)態(tài)二次離子質(zhì)譜對(duì)探查到的的污染元素進(jìn)行精準(zhǔn)定量測(cè)量。本發(fā)明采用更多的分析技術(shù)、儀器和方法聯(lián)合應(yīng)用于失效分析,能夠快速準(zhǔn)確地確定晶體管柵極硅氧化層的失效機(jī)理和模型,以便失效分析工程師提供更精準(zhǔn)的分析報(bào)告。
聲明:
“半導(dǎo)體晶圓制造晶體管柵極硅氧化層失效的綜合分析方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)