本發(fā)明公開了一種輝鉬礦電極及其制備方法。所述制備方法包括:在惰性氛圍下,對高純度二硫化鉬粉體進行高能球磨,并將得到二硫化鉬球磨粉壓制為柱體,其后將所述柱體在200?350℃、100?400Mpa下密封、各向等壓地熱壓1?6h,得到輝鉬礦塊體,其后所述塊體加工為圓柱形電極。本發(fā)明的制備方法工藝簡單,可將粉體原料在不經粘結劑作用的情況下,直接加工為高純度、高致密度、
電化學性能優(yōu)異的輝鉬礦電極。
聲明:
“輝鉬礦電極及其制備方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術所有人。
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