一種SRAM單元及其檢測方法、SRAM單元的檢測系統(tǒng)和SRAM器件,SRAM單元包括:存儲單元,包括第一反相器和第二反相器;傳送單元,包括第一傳送門晶體管和第二傳送門晶體管,第一傳送門晶體管和第二傳送門晶體管的漏極分別與第一節(jié)點(diǎn)和第三節(jié)點(diǎn)電連接;字線,與第一傳送門晶體管柵極和第二傳送門晶體管柵極電連接;位線,包括第一位線和第二位線,第一位線和第二位線分別與第一傳送門晶體管和第二傳送門晶體管的源極電連接;與位線電連接的驅(qū)動單元,用于同時向第二節(jié)點(diǎn)和第四節(jié)點(diǎn)加載低電平;與位線電連接的讀取單元,用于讀取第一上拉晶體管和第二上拉晶體管的輸出電流之和。通過所述SRAM單元可以偵測失效SRAM單元。
聲明:
“SRAM單元及其檢測方法、SRAM單元的檢測系統(tǒng)和SRAM器件” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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