本申請涉及半導(dǎo)體制作過程中存儲器晶圓測試技術(shù)領(lǐng)域,具體涉及存儲器晶圓測試方法和測試裝置。方法包括:向目標存儲器晶圓發(fā)送具有指針變量的測試指令;依次接收存儲在存儲單元中的數(shù)據(jù),并存儲;判斷數(shù)據(jù)是否有誤,若有誤,確定被測
芯片包含失效單元;將包含有失效單元的被測芯片歸類為失效組,其他被測芯片歸類為正常組;根據(jù)失效組中的被測芯片,在測試電路模塊中開設(shè)具有位圖空間,位圖空間與失效組中的被測芯片一一對應(yīng);依次遍歷失效組中被測芯片各存儲單元,若存儲單元為失效單元,在對應(yīng)位圖空間的對應(yīng)位元上標注;依次遍歷位圖空間的各個位元,確定被標注的位元;根據(jù)被標注的位元,確定失效單元地址。
聲明:
“存儲器晶圓測試方法和測試裝置” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)