本發(fā)明公開了一種低頻低介電損耗電子陶瓷材料及其制備方法,所述陶瓷材料采用低溫共燒技術(shù)進(jìn)行封裝得到,為多層陶瓷材料,具有外層、內(nèi)層,內(nèi)層為
鈣鈦礦空間結(jié)構(gòu)的陶瓷材料,分子式為Pb
1?xA
xB
yC
1?yO
3;外層分為采用等離子噴涂形成的SiN?Cr
3C
2?Ti復(fù)合薄膜層。本發(fā)明提供的電子陶瓷材料具有單晶相的鈣鈦礦結(jié)構(gòu),其具有1:1B位有序排列的陽離子,導(dǎo)致了所合成的陶瓷材料具有鉛基體系空間電荷極化的特性,材料遵循非Debye弛豫過程,導(dǎo)電過程具有極化子載流子,使所述陶瓷材料同時具有優(yōu)良的低頻特性、低介電損耗性能以及較高的溫度穩(wěn)定性,其采用一次性固體合成方法,減少了操作步驟,簡化了操作流程,提高了生產(chǎn)效率。
聲明:
“低頻低介電損耗電子陶瓷材料及其制備方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)