本發(fā)明屬于用物理冶金技術(shù)提純
多晶硅的技術(shù)領(lǐng)域,特別涉及一種利用電子束熔煉技術(shù)將多晶硅中的雜質(zhì)磷和硼去除的方法。該方法使用兩把電子槍發(fā)射電子束分別對多晶硅進(jìn)行熔煉,同時(shí)采用雙重工藝去除多晶硅中的磷和硼,首先去除多晶硅中雜質(zhì)磷,將低磷的多晶硅進(jìn)一步熔煉蒸發(fā)除硼,收集蒸發(fā)到沉積板上的低磷低硼的多晶硅的方法。所采用的裝置由真空蓋、真空圓桶構(gòu)成裝置的外殼,真空圓桶的內(nèi)腔即為真空室,真空室由左右兩個(gè)腔組成,中間由隔離板分割。本發(fā)明有效提高了多晶硅的純度,達(dá)到了太陽能級(jí)硅的使用要求,其提純效果好,技術(shù)穩(wěn)定,效率高。
聲明:
“連續(xù)熔煉去除多晶硅中磷和硼的方法及裝置” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)