本發(fā)明屬于用物理冶金技術(shù)提純
多晶硅領(lǐng)域。一種電子束淺熔池熔煉提純多晶硅的方法,先將需提純的大塊高磷、高金屬多晶硅錠置于水冷升降托盤之上,后通過電子束熔化硅錠的頂部,熔化的硅熔液在由硅錠頂部、水冷銅套以及石墨套環(huán)形成的空間內(nèi)形成淺熔池,熔煉一定時間后,去除雜質(zhì)磷,此后升高水冷升降托盤,低磷硅熔液液面升高后通過導(dǎo)流口流入石英坩堝中,在保溫作用下向下拉錠,進(jìn)行定向凝固生長,金屬雜質(zhì)向硅錠頂部富集,凝固后切除硅錠頂部,去除金屬雜質(zhì)。本發(fā)明綜合電子束淺熔池熔煉和定向凝固去除硅中的雜質(zhì)磷和金屬。多晶硅的純度達(dá)到太陽能級硅的使用要求,節(jié)約能源,工藝簡單,生產(chǎn)效率高,適合批量生產(chǎn)。
聲明:
“電子束淺熔池熔煉提純多晶硅的方法及設(shè)備” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)