本發(fā)明公開了一種提純太陽能級
多晶硅的裝置。所述裝置主要通過對工業(yè)硅進行冶金法熔煉后,經(jīng)過對提拉定向生長多晶硅進行多級電磁約束區(qū)域提純的方法來獲得太陽能級多晶硅。首先通過冶金法熔煉硅合金熔體,然后經(jīng)過提拉定向生長多晶硅來初步提純多晶硅后,在提拉出的多晶硅錠周圍設置對稱偶數(shù)個電磁約束熔煉器,實現(xiàn)多級電磁約束區(qū)域提純,并進一步實現(xiàn)高純度提純多晶硅。
聲明:
“提純太陽能級多晶硅的裝置” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)