一種具有顯微擴散阻擋層的銅/硅電子封裝材料及其制備方法,該封裝材料的硅顆粒表面是由1NM-10ΜM厚度
氧化鋁、氮化鋁或二者復(fù)合構(gòu)成的擴散阻擋層薄膜,銅組元構(gòu)成連續(xù)基體組織;本發(fā)明的方法為首先在硅粉表面涂覆氧化鋁薄膜或其前驅(qū)體,然后將涂覆后的硅粉在真空、還原氣氛或(與碳粉混合后)在氮氣中焙燒,表面處理后的硅粉與銅粉經(jīng)混粉、燒結(jié)等工藝獲得致密化材料;本發(fā)明在銅、硅粉末表面鍍覆氧化鋁/氮化鋁擴散阻擋層薄膜,用擴散阻擋層阻隔銅、硅二組元在高溫?zé)Y(jié)時的相互擴散和界面反應(yīng),從而通過高溫?zé)Y(jié)得到銅/硅封裝材料。
聲明:
“具有顯微擴散阻擋層的銅/硅封裝材料及其制備方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)