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生產(chǎn)單同位素硅Si28的方法

1091   編輯:管理員   來源:中冶有色技術(shù)網(wǎng)  
2023-03-18 14:33:09
本發(fā)明涉及冶金學(xué)領(lǐng)域,特別是由富含Si28的無機化合物,主要是四氟化硅來生產(chǎn)單同位素硅的方法。本方法包括將四氟化硅在高溫下還原,特征在于通過在180-200℃的溫度下將四氟化硅用氫化鈣還原的方法來制備硅烷,然后將得到的硅烷在800-900℃的溫度下進行高溫分解處理,且單同位素硅沉積到基體上的速度不超過0.5mm/小時。單同位素硅的沉積速度主要通過改變硅烷的供應(yīng)速度來調(diào)節(jié)。沉積過程在一個預(yù)先得到的單同位素硅基體上進行,或者分兩個階段進行,第一階段是在一個難熔基體上,例如一個熔點高于硅沉積溫度的金屬基體進行沉積,然后,將得到的單同位素硅棒與基體脫離,繼續(xù)在第一階段得到的單同位素硅棒上進行沉積操作。
聲明:
“生產(chǎn)單同位素硅Si28的方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)
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