本發(fā)明提供一種高純碳化硅原料的制備方法,所述方法包括如下步驟:提供高純硅粉和高純碳粉;所述高純硅粉和高純碳粉充分混合后放置于坩堝,于1400-2200℃的高溫爐中形成一次碳化硅料,所述一次碳化硅料壓碎后在氧化爐中經過600-1400℃的高溫氧化,形成二次碳化硅料;所述二次碳化硅料在高真空爐中經過800-1600℃高溫真空脫氣,形成三次碳化硅料;所述三次碳化硅料經過濕法化學冶金處理,得到高純碳化硅原料。
聲明:
“高純碳化硅原料的制備方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術所有人。
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