本發(fā)明涉及制備三氯氫硅和
多晶硅的改進方法和裝置。在多晶硅制備中由氯氫化法來制備三氯氫硅,其包括A)冶金硅在烘粉爐中加熱到300-500℃,然后裝入反應(yīng)器;B)通過外部加熱裝置將四氯化硅汽化、加熱,形成溫度為160-600℃的四氯化硅氣體;C)通過外部加熱裝置將氯化氫氣體預(yù)熱到150-300℃;D)通過加熱器將氫氣預(yù)熱到300-600℃;和E)將步驟B)、C)和D)的氣體加入反應(yīng)器,其中氫氣與四氯化硅的摩爾比為1-5∶1,氯化氫與四氯化硅的摩爾比為1∶1-20,并使反應(yīng)器保持在400-600℃的溫度和1.0-3.0MPA的壓力。本發(fā)明方法能夠成本有效地制備適用于半導(dǎo)體工業(yè)和
太陽能電池的多晶硅。
聲明:
“制備三氯氫硅和多晶硅的改進方法和裝置” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)