本發(fā)明公開了一種200mm尺寸的地質(zhì)
芯片封裝的制作工藝,包括真空爐,真空爐的外表面設(shè)置有限位桿,限位桿的外表面轉(zhuǎn)動(dòng)連接有連板,連板的一端固定連接有密封蓋,真空爐的側(cè)表面分別設(shè)置有抽氣管道和氮?dú)夤艿?,真空爐的內(nèi)部設(shè)置有第一隔熱層,第一隔熱層的內(nèi)部設(shè)置有加熱腔,加熱腔的內(nèi)部設(shè)置有第二隔熱層,第二隔熱層的外表面纏繞有加熱絲管,且第二隔熱層的內(nèi)壁設(shè)置有多個(gè)氮?dú)鈬婎^,通入的氮?dú)饪梢钥焖俚呐湃氲诙魺釋觾?nèi)部,避免氮?dú)夤艿纼?nèi)部堆積大量氮?dú)舛龃蟮獨(dú)夤艿赖膬?nèi)部壓強(qiáng),防止較大壓力氮?dú)夤艿喇a(chǎn)生損壞,多個(gè)氮?dú)鈬婎^可以使氮?dú)饪梢跃鶆虻呐欧胖良訜崆粌?nèi),有助于阻止加熱腔內(nèi)的一些金屬發(fā)生揮發(fā)變形,同時(shí)可以提高冷卻效果。
聲明:
“200mm尺寸的地質(zhì)芯片封裝的制作工藝” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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