本發(fā)明涉及一種提純
多晶硅去除硼和金屬雜質(zhì)的方法,尤其是涉及一種電子束爐熔煉多晶硅除硼和金屬雜質(zhì)的方法,其特征在于:該方法為首先對硅塊原料進(jìn)行酸洗、水洗,然后在高溫電阻爐內(nèi)進(jìn)行高溫增氧預(yù)處理,將處理后的硅料裝入三槍電子束爐內(nèi)進(jìn)行熔煉,熔煉結(jié)束,待硅錠降溫至室溫,取出硅錠,去掉表皮和底端層,用硬質(zhì)合金錘輕敲掉鑄錠上端芯部金屬雜質(zhì)富集的疏松層,即得太陽能級多晶硅;本發(fā)明方法獨(dú)特、不僅能夠除磷和鈣、鈉等金屬,除硼和鐵、銅等金屬雜質(zhì)效果也很明顯,除雜效率高,產(chǎn)量大,經(jīng)濟(jì)效果顯著。
聲明:
“電子束爐熔煉多晶硅除硼和金屬雜質(zhì)的方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)