本發(fā)明涉及一種真空連續(xù)熔煉提純太陽能級硅材料的設(shè)備。該設(shè)備進料腔、
石墨坩堝、水冷坩堝依次排列,高度逐漸降低;石墨坩堝使用石墨隔離帶將坩堝分為熔化區(qū)與蒸發(fā)區(qū),坩堝為整體加熱,加熱可使用石墨加熱器或中頻加熱,結(jié)構(gòu)簡單;塊狀或粉末狀硅原料由進料腔加入到石墨坩堝進行熔化,當硅水液面高于石墨隔離帶后,硅水從熔化區(qū)流入到蒸發(fā)區(qū);流經(jīng)蒸發(fā)區(qū)的硅水流入到水冷坩堝內(nèi),完成澆鑄。該設(shè)備可以在高真空條件下連續(xù)熔煉,去除硅中的O、P、N、S、Al、Ca等揮發(fā)性雜質(zhì)。本發(fā)明具有高真空、高溫、連續(xù)熔煉的技術(shù)特點,擁有能耗低、無耗材、成本低、易于操作與控制的優(yōu)點。
聲明:
“真空連續(xù)熔煉提純太陽能級硅材料的設(shè)備” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)