本實用新型涉及一種同位素地質(zhì)學專用TOF?SIMS高壓脈沖發(fā)生器,是由直流電源經(jīng)負載與高壓衰減探頭示波器連接,負載串接三個SICMOSFET,SICMOSFETⅠ分別與TVS動態(tài)均壓電路、R1~R2靜態(tài)均壓電路、動態(tài)反饋均壓電阻和動態(tài)功耗米勒電容CgⅠ連接,SICMOSFETⅡ分別與TVS動態(tài)均壓電路、R4~R5靜態(tài)均壓電路、動態(tài)反饋均壓電阻和動態(tài)功耗米勒電容CgⅡ連接,SICMOSFETⅢ分別與TVS動態(tài)均壓電路、R7~R8靜態(tài)均壓電路、動態(tài)反饋均壓電阻和動態(tài)功耗米勒電容CgⅢ連接構(gòu)成。本實用新型與現(xiàn)有的分高壓脈沖發(fā)生器相比,具有無噪聲,無電磁干擾,結(jié)構(gòu)簡單,體積小,重量輕,安裝方便,成本低廉??稍陔妶鰵⒕夹g(shù)、水處理技術(shù)和高壓絕緣技術(shù)等領(lǐng)域廣泛應(yīng)用。
聲明:
“同位素地質(zhì)學專用TOF?SIMS高壓脈沖發(fā)生器” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)