本發(fā)明屬于
多晶硅提純領(lǐng)域,具體涉及一種應(yīng)用于冶金法提純多晶硅工藝的低溫破碎硅錠方法,其特征在于將介質(zhì)熔煉、定向凝固或電子束熔煉提純得到的硅錠,經(jīng)降溫至300~400℃時(shí),放入到20~80℃的水或油中,且液面超過硅錠上表面,硅錠在水或油中自然破碎成碎硅料。本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)在于:(1)不再需要借助外力,充分利用硅的物理特性進(jìn)行低溫破碎,節(jié)省了人力、物力成本;(2)破碎效果好,沿晶界處破碎,形成的碎硅料大小均勻,不需要再二次破碎,經(jīng)簡單處理后即可用于下一環(huán)節(jié)生產(chǎn)。
聲明:
“應(yīng)用于冶金法提純多晶硅工藝的低溫破碎硅錠方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)