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1.3萬伏以上超高壓、快恢復玻璃封裝二極管的制作方法

655 編輯：管理員來源：中冶有色技術網(wǎng)

2023-03-18 14:45:02

本發(fā)明公開了一種1.3萬伏以上超高壓、快恢復玻璃封裝二極管的制作方法，包括：N型半導體硅材料作為半導體襯底，在N型半導體襯底上摻雜N+型雜質(zhì)，去除半導體襯底一面的N+型雜質(zhì)層，在暴露出的N-型半導體材料上再雙雜質(zhì)摻雜P+型雜質(zhì)，再進行重金屬鉑摻雜，采用真空鍍膜工藝制作硅片兩面的金屬化層，多芯片冶金鍵合成管芯組件，將硅片分割成所需尺寸的管芯，將分割后的管芯組件與引線組件通過高溫燒結(jié)冶金鍵合，玻璃鈍化封裝，將調(diào)制好的玻璃粉糊涂覆在串聯(lián)的12片管芯上，即完成玻璃封裝二極管的制作。本發(fā)明產(chǎn)品具有電壓高、正向小、反向恢復短、高溫工作穩(wěn)定好，長期工作可靠性高等特點，廣泛應用于航空、航天、電子、兵器、船舶等領域。

聲明：

“1.3萬伏以上超高壓、快恢復玻璃封裝二極管的制作方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究，如用于商業(yè)用途，請聯(lián)系該技術所有人。

我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)