本發(fā)明公開了一種低電阻率銅銦鎵硒四元合金濺射靶材及其制備方法,所述靶材包括的物相有Cu(In0.7Ga0.3)Se2,CuInSe2及Cu2Se相, 所述靶材的物相中Cu(In0.7Ga0.3)Se2物相占物相總和的95%以上,CuInSe2和Cu2Se相占總物相的1~5%。本發(fā)明的濺射靶材的制備方法包括:粉末制備,粉末混合,
粉末冶金燒結(jié)等工序,所述粉末制備包括CuIn0.7Ga0.3Se2單相合金粉末的制備,所述CuIn0.7Ga0.3Se2單相合金粉末通過真空反應(yīng)合成的方法制備,真空度≥10-1Pa,反應(yīng)溫度在500~700℃,升溫速率不大于5℃/min。本發(fā)明的濺射靶,電阻率低,致密度高,晶粒尺寸細(xì)小均勻,能夠進(jìn)行中頻或直流濺射,可大大提高銅銦鎵硒薄膜的濺射速度,同時(shí)節(jié)約設(shè)備投入成本。
聲明:
“低電阻率銅銦鎵硒四元合金濺射靶材及其制備方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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