本發(fā)明公布了一種草酸促進(jìn)光催化半導(dǎo)體硫化礦物細(xì)菌浸出的方法,屬于生物冶金技術(shù)領(lǐng)域。嗜酸鐵硫氧化細(xì)菌在添加0.01-0.2g/L草酸,光照條件下浸出半導(dǎo)體硫化礦物。草酸能夠與氧化性光生空穴反應(yīng),增加光生電子的利用率,進(jìn)而顯著增加半導(dǎo)體硫化礦物浸出率。光強(qiáng)6000?Lux-8500?Lux添加0.01-0.2g/L草酸的浸出結(jié)果與光強(qiáng)0?Lux?不添加草酸的浸出結(jié)果比較,其浸出率增加了30.4-42.7%,與光強(qiáng)6000?Lux-8500?Lux不添加草酸的浸出結(jié)果比較,其浸出率增加了5.3-15.3%。本發(fā)明的方法能夠提高光催化效率,從而顯著提高半導(dǎo)體硫化礦物浸出率,使得半導(dǎo)體硫化礦物更具有綜合利用價(jià)值以及實(shí)現(xiàn)半導(dǎo)體硫化礦物作為光催化劑在生物浸礦領(lǐng)域上的應(yīng)用具有重大意義。
聲明:
“草酸促進(jìn)光催化半導(dǎo)體硫化礦物細(xì)菌浸出的方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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