本發(fā)明公開(kāi)了一種
多晶硅厚膜的制備方法,該方法將普通的冶金硅經(jīng)酸洗除雜后,重?fù)诫s硼或者鋁形成p型導(dǎo)電硅,接著采用鑄錠切片工藝得到p型導(dǎo)電硅襯底,然后在該襯底上沉積二氧化硅(SiO2)、氮化硅(SiNx)、
氧化鋁(Al2O3)或氮化鋁(AlNx)等薄膜作為介質(zhì)阻擋層,對(duì)該介質(zhì)阻擋層進(jìn)行圖形化開(kāi)孔,該孔穿透介質(zhì)阻擋層與p型導(dǎo)電硅襯底相連通,最后在介質(zhì)阻擋層表面在高溫條件下采用化學(xué)氣相沉積技術(shù)沉積多晶硅厚膜,所沉積的多晶硅厚膜在開(kāi)孔處與p型導(dǎo)電硅襯底形成電接觸。與現(xiàn)有技術(shù)相比,利用本發(fā)明的方法能夠得到低成本、大面積、高質(zhì)量的多晶硅厚膜,可以直接用于現(xiàn)有晶體硅
太陽(yáng)能電池制造生產(chǎn)線,具有重要的應(yīng)用價(jià)值。
聲明:
“多晶硅厚膜的制備方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)