本發(fā)明公開一種減小靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器漏電流的方法，包括有源區(qū)、多晶硅柵和接觸孔，其中，首先在所述多晶硅柵兩側(cè)的部分有源區(qū)上覆蓋側(cè)墻，并在所述側(cè)墻外側(cè)的有源區(qū)上注入形成重?fù)诫s區(qū)域，所述側(cè)墻下側(cè)的有源區(qū)上注入形成輕摻雜區(qū)域；之后通過增加一層光刻板，進(jìn)行一次調(diào)節(jié)輕摻雜結(jié)深的離子注入工藝，使得所述輕摻雜區(qū)域的結(jié)深被加深；然后在所述多晶硅柵、所述側(cè)墻以及所述有源區(qū)上覆蓋接觸孔刻蝕停止層和層間介質(zhì)；最后再進(jìn)行接觸孔刻蝕，以及鎢填充和鎢平坦工藝，形成共享接觸孔。使用本發(fā)明，通過添加附加的注入工藝，調(diào)節(jié)靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器的共享接觸孔下方有源區(qū)中輕摻雜區(qū)域的冶金結(jié)結(jié)深，有效地減少靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器漏電的現(xiàn)象。