本發(fā)明一種去除硅中雜質(zhì)磷的方法,屬物理冶金提純硅的技術(shù)領(lǐng)域,采用真空感應(yīng)爐,在惰性氣體氬氣保護下,用具有強還原性的含鈣合金或鈣化合物作為脫磷劑,用鈣的鹵化物作助熔劑,在硅熔融態(tài)下進行脫磷反應(yīng)。其操作步驟是:將工業(yè)硅料、脫磷劑、助熔劑按比例配好,混勻盛入坩堝內(nèi),將坩堝置于密閉的真空感應(yīng)加熱爐;抽出爐內(nèi)空氣,使加熱爐保持微負壓,停止抽真空,向加熱爐內(nèi)填充氬氣,使?fàn)t內(nèi)外氣壓一致;感應(yīng)加熱,當(dāng)爐內(nèi)溫度達到1450℃-1600℃時,維持20-30min;脫磷結(jié)束后,緩慢自然冷卻至室溫;在稀鹽酸下浸泡處理硅塊2-4小時,去除雜質(zhì)。經(jīng)過脫磷處理后的硅塊,磷含量小于2ppm,再進行去硼、去金屬雜質(zhì)處理,可作為
太陽能電池的硅原料。
聲明:
“去除硅中雜質(zhì)磷的方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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