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形成電淀積接觸的結構及方法

892 編輯：管理員來源：中冶有色技術網(wǎng)

2023-03-18 14:50:25

一種接觸冶金結構,包括在襯底上的具有腔的構圖的介質層;位于所述腔的底部處的例如鈷和/或鎳的硅化物或鍺化物層;包括TI或TI/TIN的接觸層,位于所述介質層的頂部上和所述腔內并接觸所述底部上的所述硅化物或鍺化物層;位于所述接觸層的頂部上和所述腔內的擴散阻擋層;位于所述阻擋層的頂部上的用于鍍敷的可選的籽晶層;使用制造方法在過孔內提供金屬填充層。使用選自銅、銠、釕、銥、鉬、金、銀、鎳、鈷、銀、金、鎘和鋅及其合金中的至少一種電淀積所述金屬填充層。當所述金屬填充層是銠、釕、或銥時,在所述填充金屬與所述介質之間不需要有效的擴散阻擋層。當所述阻擋層為可鍍敷的時,例如釕、銠、鉑、或銥,不需要所述籽晶層。

聲明：

“形成電淀積接觸的結構及方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究，如用于商業(yè)用途，請聯(lián)系該技術所有人。

我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)