2多晶膜質(zhì)量以降低CsPbIBr2探測(cè)器暗電流的方法,探礦技術(shù)"> 2多晶膜質(zhì)量以降低CsPbIBr2探測(cè)器暗電流的方法,本發(fā)明涉及一種雙配體材料提高CsPbIBr2多晶膜質(zhì)量以降低CsPbIBr2探測(cè)器暗電流的方法,特別的是,通過(guò)雙配體材料在相對(duì)濕度低于60%的大氣環(huán)境下制備出結(jié)構(gòu)穩(wěn)定、表面平整的CsPbIBr2多晶膜,成功降低其探測(cè)器暗電流?;诒景l(fā)明制備的CsPbIBr2多晶膜適用于紫外光電探測(cè)技術(shù)領(lǐng)域,并有望進(jìn)一步應(yīng)用于X射線探測(cè)器技術(shù)領(lǐng)域。本發(fā)明利用兩種配體材料,通過(guò)對(duì)兩種配體材料在鈣鈦礦前驅(qū)體混合溶液中的比例調(diào)控以及采用制備多晶膜的噴涂法,在大氣環(huán)境下制備出結(jié)構(gòu)穩(wěn)">

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雙配體材料提高CsPbIBr2多晶膜質(zhì)量以降低CsPbIBr2探測(cè)器暗電流的方法

959   編輯:管理員   來(lái)源:中冶有色技術(shù)網(wǎng)  
2023-02-28 01:00:05
本發(fā)明涉及一種雙配體材料提高CsPbIBr2多晶膜質(zhì)量以降低CsPbIBr2探測(cè)器暗電流的方法,特別的是,通過(guò)雙配體材料在相對(duì)濕度低于60%的大氣環(huán)境下制備出結(jié)構(gòu)穩(wěn)定、表面平整的CsPbIBr2多晶膜,成功降低其探測(cè)器暗電流。基于本發(fā)明制備的CsPbIBr2多晶膜適用于紫外光電探測(cè)技術(shù)領(lǐng)域,并有望進(jìn)一步應(yīng)用于X射線探測(cè)器技術(shù)領(lǐng)域。本發(fā)明利用兩種配體材料,通過(guò)對(duì)兩種配體材料在鈣鈦礦前驅(qū)體混合溶液中的比例調(diào)控以及采用制備多晶膜的噴涂法,在大氣環(huán)境下制備出結(jié)構(gòu)穩(wěn)定、表面平整的CsPbIBr2多晶膜,降低了其探測(cè)器的暗電流并提高了光響應(yīng)。本發(fā)明方法工藝簡(jiǎn)單,操作方便,成本低廉,適于工業(yè)生產(chǎn)。
聲明:
“雙配體材料提高CsPbIBr2多晶膜質(zhì)量以降低CsPbIBr2探測(cè)器暗電流的方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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