本發(fā)明涉及一種雙異質(zhì)結(jié)光探測器的制備方法,包括:(a)對半絕緣半透明襯底進(jìn)行清洗;(b)在所述襯底上生長底電極層;(c)在所述底電極層上生長第一MoS2層;(d)在所述第一MoS2層上生長雜化
鈣鈦礦層;(e)在所述雜化鈣鈦礦層上生長第二MoS2層;(f)在所述第二MoS2層上生長頂電極。本發(fā)明雜化鈣鈦礦雙異質(zhì)結(jié)可以使二維材料溝道的背景載流子的完全耗盡,顯著降低了器件暗電流,提高器件在弱光下的探測性能;制備工藝簡單,生產(chǎn)成本低,無需昂貴的儀器設(shè)備等優(yōu)點;制備的光電探測器可在零柵壓、低源漏偏壓下工作,具有優(yōu)異的低功耗特性,且結(jié)構(gòu)簡單、效率高、響應(yīng)快、工作穩(wěn)定、使用壽命長。
聲明:
“雙異質(zhì)結(jié)光探測器及其制備方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)