本發(fā)明屬于光電探測器技術(shù)領(lǐng)域,公開了一種高性能的光電探測器制備方法,在硅基襯底上旋涂CdS
xSe
1?x納米片,利用電子束光刻及電子束蒸發(fā)鍍膜技術(shù)沉積上金電極,然后旋涂CsPbBr
3納米晶體,退火處理后得到全無機(jī)CsPbBr
3鈣鈦礦納米晶體/二維非層狀硒硫化鎘納米片的復(fù)合物結(jié)構(gòu)光電探測器。本發(fā)明通過利用全無機(jī)鈣鈦礦晶體具有較高的穩(wěn)定性,同時利用二維非層狀材料的優(yōu)異物理性能與鈣鈦礦的強(qiáng)光吸收特性相結(jié)合,改善復(fù)合納米結(jié)構(gòu)界面處的電荷載流子傳輸能力,從而提高光電探測器的性能。
聲明:
“高性能的光電探測器及其制備方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)