本申請屬于光電技術領域,尤其涉及一種X射線直接探測器及其制備方法。其中,X射線直接探測器的制備方法,包括步驟:將有機脲、有機配體、鹵化碳族金屬和鹵鹽溶解于有機溶劑中,配置成前驅體溶膠;鹵鹽包括有機鹵化銨或者鹵化堿金屬;將前驅體溶膠在襯底表面成膜處理后,退火處理,在襯底表面形成二維雜化
鈣鈦礦的量子陣列膜層;在量子陣列膜層背離襯底的表面制備電極層,得到X射線直接探測器。本申請X射線直接探測器的制備方法,有機脲可以抑制二維雜化鈣鈦礦中八面體的快速聚集團聚,量子陣列膜層的厚度可以達到100μm以上,二維雜化鈣鈦礦在襯底表面垂直于襯底取向生長,形成厚度高、對X射線具有強吸收的量子陣列膜層,探測靈敏度高。
聲明:
“X射線直接探測器及其制備方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)