本發(fā)明公開(kāi)了一種基于銫鉛碘光電探測(cè)器及制備方法,從下到上依次為襯底層、第一電極層、
鈣鈦礦銫鉛碘光敏層、第二電極層、器件保護(hù)層;所述的鈣鈦礦銫鉛碘光敏層厚度10?22納米;所述的鈣鈦礦銫鉛碘光敏層從下到上依次為第一碘化鉛層、第一鈣鈦礦銫鉛碘CsPbI
3光敏層、碘化銫、第二鈣鈦礦銫鉛碘CsPbI
3光敏層、第二碘化鉛層;所述的鈣鈦礦銫鉛碘光敏層采用化學(xué)氣相沉積法制備。本發(fā)明中采用化學(xué)氣相沉積法交替沉積碘化銫和碘化鉛,碘化銫和碘化鉛從界面處發(fā)生化學(xué)反應(yīng)生成鈣鈦礦銫鉛碘薄膜層,形成三明治結(jié)構(gòu),這種結(jié)構(gòu)有利于提高鈣鈦礦銫鉛碘薄膜的穩(wěn)定性。
聲明:
“基于銫鉛碘光電探測(cè)器及制備方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)