本發(fā)明適用于光電領(lǐng)域,提供了一種光電探測器及其制備方法,該光電探測器包括:基底層;以及依次層疊設(shè)置在所述基底層上的
鈣鈦礦薄膜層、半導(dǎo)體等離子體層、NaYF
4中間層、上轉(zhuǎn)換層和電極層;所述上轉(zhuǎn)換層為以NaYF
4:Yb
3+,Tm
3+為殼,包覆NaYF
4:Yb
3+,Er
3+制得的上轉(zhuǎn)換納米顆粒層。該光電探測器對于980nm近紅外光的窄帶的響應(yīng)率和光電探測率最高可達0.331A/W,4.23×10
10 Jones,外量子效率為41.92%,并且具有良好的穩(wěn)定性,經(jīng)過100天保存后,光電探測率仍然可以保持在初始值的70%。
聲明:
“光電探測器及其制備方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)