本實用新型屬于用物理冶金技術(shù)提純
多晶硅的技術(shù)領(lǐng)域。一種電子束淺熔池熔煉用水冷裝置,支撐底座內(nèi)安裝有水冷支撐桿,石墨塊安裝于水冷支撐桿的上方,支撐底座上一側(cè)固定兩根水冷連通軸,水冷銅套環(huán)采用相對成圓形的兩瓣式結(jié)構(gòu),每瓣套環(huán)的一側(cè)有套孔,套孔與水冷連通軸套裝,每瓣套環(huán)可圍繞水冷連通軸轉(zhuǎn)動,套環(huán)的另一側(cè)設(shè)有開閉裝置,每瓣套環(huán)中開有冷卻水通道,套環(huán)開閉裝置一側(cè)的支撐底座上安裝有結(jié)晶器。本實用新型裝置結(jié)構(gòu)緊湊,構(gòu)思獨特,在硅錠的外壁套上多層銅套環(huán),在銅套環(huán)中形成淺層熔池,熔煉后去除磷雜質(zhì),此裝置使得熔化提純時間減少,整體提純時間減少,能耗降低,效率提高,去除效果良好,適合大規(guī)模工業(yè)化生產(chǎn)。
聲明:
“電子束淺熔池熔煉用水冷裝置” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)