本實用新型屬于用物理冶金技術(shù)提純
多晶硅領(lǐng)域。一種電子束高效、連續(xù)熔煉提純多晶硅的設(shè)備,加料真空閘室安裝與真空室相連通,出料真空閘室與真空室相連通,收集室與出料真空閘室相連通;加料真空閘室頂部帶有裝粉蓋,裝粉蓋下部安裝上裝粉桶,上裝粉桶出粉口對應(yīng)落粉真空室門,落粉真空閥門連通下裝粉桶,下裝粉桶出料口下方放置硅塊,硅塊放置在坩堝中,坩堝出料口與傾斜銅槽上端連通,傾斜銅槽底端連通收集筒,收集筒底部出口對應(yīng)落料真空閥門,落料真空閥門連通出料真空閘室,出料真空閥室內(nèi)裝有冷卻筒,冷卻筒出料口連通收集室;真空室上方的電子束流對準(zhǔn)硅錠。本實用新型結(jié)構(gòu)簡單,采取連續(xù)加料和連續(xù)出料的熔煉方式,能耗小,成本低。
聲明:
“電子束高效、連續(xù)熔煉提純多晶硅的設(shè)備” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)