本發(fā)明實施例提供了一種
鈣鈦礦光電晶體管及其制備方法,屬于光探測領(lǐng)域。所述光電晶體管器件包括基礎(chǔ)襯底,位于基礎(chǔ)襯底上的漏源金屬電極,金屬氧化物半導(dǎo)體薄膜,所述金屬氧化物半導(dǎo)體薄膜上覆蓋有電荷傳輸界面層,所述電荷傳輸界面層上方有圖形化的有機無機雜化鈣鈦礦材料層,所述電荷傳輸界面層至少將圖形化的有機無機雜化鈣鈦礦材料層與源漏金屬電極、金屬氧化物薄膜分隔開,基礎(chǔ)襯底上方設(shè)有一層鈍化層,所述鈍化層將器件全部覆蓋。所述鈣鈦礦光電晶體管為底柵底接觸結(jié)構(gòu),具有暗電流低、響應(yīng)速度快、寬光譜響應(yīng)的特性,與硅基光電探測器相比具有成本低廉,制備能耗低的特點,器件制備工藝與目前硅基工藝平臺具有良好的兼容性。
聲明:
“鈣鈦礦光電晶體管及其制備方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)