本發(fā)明公開了一種低壓高能SiC半導體電嘴材料的制備方法，包括以下步驟：1)按照體積配比，選取45～70％的SiC粉末，5～15％的ZrO2粉末，10～30％的Al2O3粉末，10～30％的構成玻璃體系復合氧化物粉末，混合均勻，過200目篩儲存?zhèn)溆茫?)按照粉料重量：PVA重量＝95 : 5的比例加入8％固含量的PVA，手動混合均勻后，過80目篩，在80MPa壓力下壓制形成生坯；3)將生坯放入空氣爐中進行燒結，升溫速率為5℃/h，升溫至450℃，保溫12h；4)將排膠后的生坯放入真空燒結爐中，填充Ar，升溫至1600～1800℃進行燒結，保溫時間為1～3h，升溫速率為5℃/min。本發(fā)明制備得到的SiC半導體
復合材料具有發(fā)火電壓低，火花能量大、不受氣壓和環(huán)境介質的影響，耐熱沖擊、耐電火花的腐蝕，熄滅再啟動、高空性能好等優(yōu)良性能。
聲明：
“低壓高能SiC半導體電嘴材料的制備方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究，如用于商業(yè)用途，請聯(lián)系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)
998
編輯：管理員
來源：中冶有色技術網
分享 0
舉報 0
收藏 0
反對 0
點贊 0
2025年03月21日 ~ 23日 
