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壓力驅(qū)動離子擴散生長制備無機鈣鈦礦單晶薄膜的方法

979 編輯：管理員來源：中冶有色技術網(wǎng)

2023-03-01 00:40:02

本發(fā)明涉及一種壓力驅(qū)動離子擴散生長制備無機鈣鈦礦單晶薄膜的方法。首先用常規(guī)的溶液旋涂方法制備無機鈣鈦礦半導體多晶薄膜，然后用表面拋光的蓋片與多晶薄膜表面緊密貼合，并用柔性耐高溫薄膜包覆。接著，將樣品放入充滿液態(tài)傳壓傳熱介質(zhì)的高壓熱壓釜內(nèi)，封釜后在熱壓釜上施加高壓，并以設定的速度升溫到設定值。恒溫恒壓處理一段時間后，使熱壓釜緩慢冷卻到室溫。卸去壓力后，打開熱壓釜即可得到晶粒粒度大、結晶度高、晶界高度融合的高質(zhì)量無機鈣鈦礦半導體單晶薄膜。本發(fā)明制備的無機鈣鈦礦單晶薄膜可用于研制高性能太陽能電池、電致發(fā)光器件、光電探測器等，在新能源技術、顯示設備制造以及自動控制等領域有重要的應用價值。

聲明：

“壓力驅(qū)動離子擴散生長制備無機鈣鈦礦單晶薄膜的方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究，如用于商業(yè)用途，請聯(lián)系該技術所有人。

我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)