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高可靠抗輻照瞬變電壓抑制二極管的制造方法

1048 編輯：管理員來源：中冶有色技術網(wǎng)

2023-03-18 15:01:01

本發(fā)明提供的一種高可靠抗輻照瞬變電壓抑制二極管的制造方法，采用鉬或鎢作為電極引線，管芯采用鋁作為焊料，芯片采用深結(jié)擴散工藝，臺面造型為正斜角造型，該芯片結(jié)構(gòu)降低表面電場，同時在進行玻璃鈍化封裝前，采用酸、堿腐蝕工藝及鈍化工藝對芯片臺面進行保護，然后采用特殊玻璃粉進行高溫鈍化封裝成型；本發(fā)明芯片成正斜角，降低了器件的表面電場，提高了芯片表面的穩(wěn)定性；在芯片腐蝕過程中最大限度的清潔了芯片表面，減少了界面電荷的影響，使器件具有良好的雪崩擊穿性能，提升產(chǎn)品的可靠性；由于鈍化層較厚，同時具有一定的含鉛量使產(chǎn)品能在輻照條件下穩(wěn)定工作。

聲明：

“高可靠抗輻照瞬變電壓抑制二極管的制造方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究，如用于商業(yè)用途，請聯(lián)系該技術所有人。

我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)