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自激勵單電子自旋電磁晶體管及制作工藝

1050 編輯：管理員來源：中冶有色技術網(wǎng)

2023-03-18 15:01:02

本發(fā)明公開了一種基于自激勵單電子自旋電磁晶體管及制作工藝，所述晶體管包括襯底，襯底上設置有納米碳化硅薄膜結(jié)構(gòu)、源極、漏極、柵極，納米碳化硅薄膜結(jié)構(gòu)由層狀納米碳化硅單晶體薄膜互嵌構(gòu)成，納米碳化硅薄膜結(jié)構(gòu)的兩端分別與源極和漏極接觸，形成源漏極有源區(qū)，納米碳化硅薄膜結(jié)構(gòu)的上部依次設置有絕緣層、接觸金屬層，柵極從接觸金屬層引出。本發(fā)明通過設置由層狀納米碳化硅單晶體薄膜互嵌構(gòu)成的納米碳化硅薄膜結(jié)構(gòu)形成的納米線或帶，作為晶體管有源區(qū)，源漏極用Pd作為接觸金屬，形成肖特基勢壘，其中出現(xiàn)隧穿。在室溫下，本發(fā)明基于自激勵單電子自旋電磁晶體管的源漏電壓與漏電流的關系呈現(xiàn)干涉現(xiàn)象。

聲明：

“自激勵單電子自旋電磁晶體管及制作工藝” 該技術專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究，如用于商業(yè)用途，請聯(lián)系該技術所有人。

我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)