本發(fā)明公開了一種片狀硅粒子整流二極管的生產(chǎn)方法,包括下述步驟:步驟一:選取N-型111面
芯片進行擴散工序制得PN結芯片;步驟二:把所述PN結芯片制作成為片狀GPP芯片;步驟三:把所述片狀GPP芯片封裝制造成片狀硅粒子整流二極管。本發(fā)明所述片狀硅粒子整流二極管的生產(chǎn)方法不會產(chǎn)生尖端電場區(qū)域,從而不會產(chǎn)生尖峰電場使得芯片被擊穿,從而對芯片起到了一定的保護作用,并提高了芯片的有效載流面積和耐受電流強度。
聲明:
“片狀硅粒子整流二極管的生產(chǎn)方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)