一種合成Β-SIC納米線的方法,采用硅藻土與硅粉在高溫下反應(yīng)生成的SIO為硅源,以生物活性炭薄片作為碳源,在1200~1400℃的溫度范圍內(nèi)通過碳熱還原反應(yīng)在生物活性炭薄片表面形成Β-SIC納米線。本發(fā)明采用薄片生物活性炭可以通過竹材、木材等天然可再生植物碳化后制得,原材料來源廣泛,成本低廉。生物活性炭比表面積高,表面活性大,在相對較低的溫度下即可與SIO發(fā)生反應(yīng)形成Β-SIC納米線。生物活性炭中天然存在的金屬離子可以作為催化劑促進Β-SIC納米線的生長。采用薄片生物活性炭可以避免顆粒狀SIC的形成,為高純度Β-SIC納米線的制備提供了有利條件。
聲明:
“Β-SIC納米線的合成方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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