本發(fā)明公開了一種可用于極高溫度下的碳化硅器件動態(tài)特性測試平臺,包括PCB基板及鍍銀的
氧化鋁陶瓷基板,氧化鋁陶瓷基板上設(shè)置有金屬化DC+區(qū)域、金屬化AC區(qū)域、金屬化柵極區(qū)域及金屬化開爾文源極區(qū)域,其中,金屬化DC+區(qū)域上設(shè)置有待測SiC MOSFET及待測SiC肖特基二極管,其中,待測SiC MOSFET的柵極與金屬化柵極區(qū)域相連接;將待測SiC MOSFET的源極與金屬化開爾文源極區(qū)域相連接,待測SiC肖特基二極管的源極及待測SiC MOSFET的電源與金屬化AC區(qū)域相連接,該平臺能夠?qū)iC器件的動態(tài)特性研究擴(kuò)展至更寬的溫度范圍。
聲明:
“可用于極高溫度下的碳化硅器件動態(tài)特性測試平臺” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)