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寬禁帶半導體器件及其制備方法

999 編輯：管理員來源：中冶有色技術網

2023-03-18 15:01:02

本發(fā)明提供了一種寬禁帶半導體器件及其制作方法，屬于半導體制備技術領域。它解決了現(xiàn)有寬禁帶半導體器件中易受熱膨脹影響的問題。本寬禁帶半導體器件包括使用寬禁帶半導體材料為襯底的芯片和使用寬禁帶半導體材料制成的底座，并在所述的底座上設有放置芯片的凹槽結構。本發(fā)明還提供了一種制作本寬禁帶半導體器件的方法。本發(fā)明的寬禁帶半導體器件的芯片襯底和底座均采用寬禁帶半導體材料制成，能夠達到快速散熱的目的；同時由于熱膨脹系數和散熱系數基本相同，因此不需要在底部或者附屬配件上增加調整熱膨脹系數的各種材料，極大的簡化了寬禁帶半導體器件結構，減小了熱膨脹的影響，提高了穩(wěn)定性。

聲明：

“寬禁帶半導體器件及其制備方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究，如用于商業(yè)用途，請聯(lián)系該技術所有人。

我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)