本發(fā)明公開了一種全固態(tài)鉭電解電容器器件及其ALD制備方法，制備方法包括：使用小電流密度對(duì)陽極鉭塊的Ta2O5介質(zhì)層進(jìn)行進(jìn)一步補(bǔ)形成；使用ALD法在陽極鉭塊的Ta2O5介質(zhì)層表面上沉積導(dǎo)電氧化物薄膜；使用導(dǎo)電碳漿、銀漿及銀絲對(duì)沉積的導(dǎo)電陰極層進(jìn)行陰極電極引出。本發(fā)明采用ALD制備導(dǎo)電氧化物陰極薄膜的方法，避免傳統(tǒng)液相法中酸性物質(zhì)及強(qiáng)氧化劑等對(duì)Ta2O5介質(zhì)層帶來損害的同時(shí)，制備的氧化物陰極材料具有更高的電導(dǎo)率、良好的溫寬性、更高的孔隙覆蓋率、更強(qiáng)的附著力、大面積的均勻性及優(yōu)良的致密性等特征，且該沉積過程中無還原性氣體及等離子體對(duì)Ta2O5介質(zhì)層產(chǎn)生損害，促進(jìn)固態(tài)鉭電解電容器朝小型化、高容量引出率、高頻低阻抗及耐高溫長壽命的全面發(fā)展。