本發(fā)明公開了一種雙
芯片橫向串聯(lián)型的二極管封裝結(jié)構(gòu)和制造方法,包括內(nèi)引線、由外引線A、外引線B以及兩個凸臺組成的引線框架,外引線A、外引線B分別與載片臺連為一體,兩個載片臺上均設(shè)有凸臺,內(nèi)引線底面設(shè)有兩個凸臺,兩個載片臺上的兩個凸臺與內(nèi)引線底面的兩個凸臺之間設(shè)置第一芯片與第二芯片,制造方法包括:引線框架置于燒結(jié)模具上,將第一、第二芯片貼裝于外引線的載片臺上,芯片上蓋上內(nèi)引線,將裝配好的產(chǎn)品進(jìn)行燒結(jié),本發(fā)明提高了二極管的電壓值及TVS等器件的功率,芯片厚度變化無需修改內(nèi)引線,可容芯片的厚度尺寸大,本發(fā)明為雙芯片橫向串聯(lián)二極管,作為整流器件若其中一個芯片被擊穿,另一個芯片仍可繼續(xù)工作。
聲明:
“雙芯片橫向串聯(lián)型的二極管封裝結(jié)構(gòu)和制造方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)