一種基于反溶劑締合法的無(wú)“咖啡環(huán)現(xiàn)象”的
鈣鈦礦量子點(diǎn)薄膜的制備方法,本發(fā)明為了解決兩步反溶劑法中高溫后處理導(dǎo)致鈣鈦礦量子點(diǎn)性能退化的問(wèn)題。制備方法:一、在氬氣環(huán)境中將碘化苯乙胺和PbI2粉末溶解在DMF中,攪拌反應(yīng),得到反應(yīng)液;二、對(duì)基板進(jìn)行超聲清洗和等離子體清洗;三、將反應(yīng)液滴到清洗后的基板上,然后再滴加反溶劑,得到帶有(PEA)2PbI4薄膜的基板;四、基板在熱臺(tái)上進(jìn)行退火處理。本發(fā)明開發(fā)了一種在低退火溫度下通過(guò)一步制備方法在大面積內(nèi)制備具有均勻表面形貌,且徹底解決“咖啡環(huán)現(xiàn)象”的2D(PEA)2PbI4鈣鈦礦量子點(diǎn)墨水,基于該材料的光電探測(cè)器顯示出優(yōu)異的穩(wěn)定性。
聲明:
“基于反溶劑締合法的無(wú)“咖啡環(huán)現(xiàn)象”的鈣鈦礦量子點(diǎn)薄膜的制備方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)