本發(fā)明公開了一種電場(chǎng)調(diào)控
鈣鈦礦晶粒二次生長(zhǎng)的方法,涉及太陽(yáng)電池領(lǐng)域,其特征在于,在現(xiàn)有一步旋涂法熱處理的基礎(chǔ)上,自主設(shè)計(jì)了一個(gè)加電場(chǎng)的裝置,此裝置可以根據(jù)需要通過調(diào)節(jié)倆電極的距離進(jìn)而調(diào)控電場(chǎng)強(qiáng)度,從而實(shí)現(xiàn)調(diào)控薄膜晶粒的二次生長(zhǎng)。本發(fā)明利用探針接觸薄膜的導(dǎo)電ITO面,實(shí)現(xiàn)電場(chǎng)處理過程中的可視化,并且對(duì)樣品薄膜是無損。本發(fā)明不使用化學(xué)方法更加環(huán)保,簡(jiǎn)單易行。通過電場(chǎng)處理的鈣鈦礦薄膜更大的晶粒尺寸、更多的鈣鈦礦成分,其制備的鈣鈦礦太陽(yáng)電池具有更大的開路電壓、短路電流密度,進(jìn)而具有更高的光電轉(zhuǎn)換效率,且具有更好地穩(wěn)定性。
聲明:
“電場(chǎng)調(diào)控鈣鈦礦晶粒二次生長(zhǎng)的方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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