本發(fā)明公開了一類具有高光電響應(yīng)效率、室溫穩(wěn)定的
鈣鈦礦型CsPbBr
3?xI
x晶體以及其制備方法和應(yīng)用。制備方法為:以PbBr
2、PbI
2、CsBr、二甲基亞砜為原料,其中Pb
2+和Cs
+物質(zhì)的量比為2:1,Br
?和I
?物質(zhì)的量比為14:1~2:1,采用逆溫蒸發(fā)結(jié)晶法進(jìn)行生長(zhǎng),制得尺寸大、結(jié)晶質(zhì)量高、Br
?和I
?分布均勻的鈣鈦礦晶體材料。該晶體材料不僅具有良好的穩(wěn)定性,而且通過碘離子摻雜將新能級(jí)引入帶隙,從而使該晶體的吸收邊發(fā)生紅移,拓寬了光吸收范圍。并且適量碘摻雜降低了該晶體的暗電流密度、縮短了光響應(yīng)時(shí)間、增大了光電流密度,從而提高了晶體作為光電探測(cè)器時(shí)的響應(yīng)率、檢測(cè)率和外量子效率。
聲明:
“一類具有高光電響應(yīng)效率、室溫穩(wěn)定的銫鉛鹵化物鈣鈦礦晶體材料及其制備方法和應(yīng)用” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)