本發(fā)明提供一種C/HfC-ZrC-SiC
復(fù)合材料的制備方法,本發(fā)明采用高孔隙率的低密度復(fù)合材料,使用真空壓力浸漬方法,在低密度復(fù)合材料中引入碳先驅(qū)體的同時引入一定量的硅鉿合金和硅鋯合金,在后續(xù)反應(yīng)熔滲中,內(nèi)外同時硅鉿合金和硅鋯合金進(jìn)行反應(yīng)熔滲,有效地提高了復(fù)合材料內(nèi)部的HfC和ZrC含量。
聲明:
“C/HfC-ZrC-SiC復(fù)合材料的制備方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)